igbt模塊的特點(diǎn)說(shuō)明

日期：2024-09-20 16:57

瀏覽次數(shù)：1568

摘要： IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。在IGBT使用過(guò)程中，可以通過(guò)控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT導(dǎo)通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制。 1）當(dāng)IGBT柵-射極加上加0或負(fù)電壓時(shí)，MOSFET內(nèi)溝道消失，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)。 2）當(dāng)集-射極電壓UCE＜0時(shí)，J3的PN結(jié)處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。 3）當(dāng)集-射極電壓UCE＞0時(shí)，分兩種情況： ...

IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。

在IGBT使用過(guò)程中，可以通過(guò)控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT導(dǎo)通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制。

1）當(dāng)IGBT柵-射極加上加0或負(fù)電壓時(shí)，MOSFET內(nèi)溝道消失，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)。

2）當(dāng)集-射極電壓UCE＜0時(shí)，J3的PN結(jié)處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。

3）當(dāng)集-射極電壓UCE＞0時(shí)，分兩種情況：

若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。

若柵-射極電壓UGE＞Uth ，柵極溝道形成，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）。此時(shí)，空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減少N基區(qū)電阻RN的值，使IGBT通態(tài)壓降降低。

本公司還有西門(mén)康igbt、三菱igbt、英飛凌igbt模塊等產(chǎn)品，您可以通過(guò)網(wǎng)頁(yè)撥打本公司的服務(wù)電話了解更多產(chǎn)品的詳細(xì)信息，至善至美的服務(wù)是我們的追求，歡迎新老客戶放心選購(gòu)自己心儀產(chǎn)品，我們將竭誠(chéng)為您服務(wù)！

下一篇： igbt模塊特點(diǎn)原理
上一篇： igbt工作特點(diǎn)

京公網(wǎng)安備 11010502035422號(hào)

中文字幕久久久两个人,亚洲一区二区三区日韩欧美,最新99精品国产免费无码,亚洲免费在线成人网

igbt模塊的特點(diǎn)說(shuō)明